FDC653N
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | FDC653N |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.67 |
10+ | $0.586 |
100+ | $0.4491 |
500+ | $0.355 |
1000+ | $0.284 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | SuperSOT™-6 |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 5A, 10V |
Verlustleistung (max) | 1.6W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 5A (Ta) |
Grundproduktnummer | FDC653 |
FDC653N Einzelheiten PDF [English] | FDC653N PDF - EN.pdf |
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6
MOSFET P-CH 30V 3.6A SUPERSOT6
FAIRCHILD SOT23-6
FAIRCHILD SOT-163
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
FAIRCHILD SOT-163
FAIRCHILD SOT23-6
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
FDC645N_NL Fairchild
FAIRCHILD SOT-163
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FDC653Nonsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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